| 元件型号: | SI7858BDPT1GE3 |
| 产品名称: | SI7858BDPT1GE3 Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 商户特定标识符: | SI7858BDPT1GE3 |
| 类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 品牌: | Vishay Siliconix |
| 描述: | MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8 |
| 系列: | TrenchFET |
| 包装: | Cut Tape (CT) |
| 场效应管类型: | N-Channel |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (Vdss): | 12V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | 40A (Tc) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）: | 1.8V, 4.5V |
| Vgs(th)（最大值）@Id: | 1V @ 250µA |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs: | 84nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds: | 5760pF @ 6V |
| Vgs（最大）: | ±8V |
| 场效应管特性: | - |
| 功耗（最大）: | 5W (Ta), 48W (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs: | 2.5 mOhm @ 15A, 4.5V |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 供应商设备包: | PowerPAK SO-8 |
| 包装/箱: | PowerPAK SO-8 |
元件型号
品牌
生产日期
数量
单价 (USD)
数量
SI7858BDP-T1-GE3 VISHAY 23+ 0
VISHAY
23+
56000
USD 0
元件型号
品牌
生产日期
数量
Si7858BDP-T1-GE3 VISHAY 2022
VISHAY
2022
4868000
USD 0
SI7858BDP-T1-GE3 VISHAY
VISHAY
36080
USD 0
SI7858BDP-T1-GE3 RICHTEK
RICHTEK
3500
USD 0
SI7858BDP-T1-GE3 Vishay 23+
Vishay
23+
1790
USD 0
Si7858BDP-T1-GE3 VISHAY 2022
VISHAY
2022
4868000
USD 0
SI7858BDP-T1-GE3 VISHAY
VISHAY
36080
USD 0
SI7858BDP-T1-GE3 RICHTEK
RICHTEK
3500
USD 0
SI7858BDP-T1-GE3 Vishay 23+
Vishay
23+
1790
USD 0
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