元件型号: | SI4966DYT1E3 |
产品名称: | SI4966DYT1E3 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
商户特定标识符: | SI4966DYT1E3 |
类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
品牌: | Vishay Siliconix |
描述: | MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC |
系列: | TrenchFET |
包装: | Tape & Reel (TR) |
场效应管类型: | 2 N-Channel (Dual) |
场效应管特性: | Logic Level Gate |
漏源电压 (Vdss): | 20V |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | - |
Rds On(最大)@Id、Vgs: | 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V |
Vgs(th)(最大值)@Id: | 1.5V @ 250µA |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs: | 50nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds: | - |
功率 - 最大: | 2W |
工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型: | Surface Mount |
包装/箱: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
供应商设备包: | 8-SO |
元件型号
品牌
生产日期
数量
SI4966DY-T1-E3
VISHAY
08+
VISHAY
08+
18
USD 0
SI4966DY-T1-E3
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
20
USD 0
SI4966DY-T1-E3 N/A
N/A
5000
USD 0
SI4966DY-T1-E3 22
22
8
USD 0
SI4966DY-T1-E3. VISHAY/
VISHAY/
16900
USD 0
SI4966DY-T1-E3
VISHAY
08+
VISHAY
08+
18
USD 0
SI4966DY-T1-E3
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
20
USD 0
SI4966DY-T1-E3 N/A
N/A
5000
USD 0
SI4966DY-T1-E3 22
22
8
USD 0
SI4966DY-T1-E3. VISHAY/
VISHAY/
16900
USD 0