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主页 > 元件型号索引 > 索引 45 > 产品 (页: 1334) > SI1026X-T1-GE3

什么是 SI1026XT1GE3?

元件型号: SI1026XT1GE3
产品名称: SI1026XT1GE3 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
商户特定标识符: SI1026XT1GE3
类别: Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
品牌: Vishay Siliconix
描述: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6
系列: -
包装: Cut Tape (CT)
场效应管类型: 2 N-Channel (Dual)
场效应管特性: Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss): 60V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: 305mA
Rds On(最大)@Id、Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id: 2.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs: 0.6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds: 30pF @ 25V
功率 - 最大: 250mW
工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
包装/箱: SOT-563, SOT-666
供应商设备包: SC-89-6
根据 9 条客户评论评分 4/5
Discrete Semiconductor Products - Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

SI1026XT1GE3

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SI1026X-T1-GE3 VISHAY 0

VISHAY  

2022+

30000

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SI1026X-T1-GE3 Vishay(威世) 0

Vishay(威世)  

22/23+

50435

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SI1026XT1GE3

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SI1026X-T1-GE3 VISHAY

VISHAY 

45518
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SI1026XT1GE3 VISHAY/

VISHAY/ 

19000
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SI1026X-T1-GE3 VISHAY

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