| 元件型号: | NTJD1155LT1G |
| 产品名称: | NTJD1155LT1G Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 商户特定标识符: | NTJD1155LT1G |
| 类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 品牌: | ON Semiconductor |
| 描述: | MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363 |
| 系列: | - |
| 包装: | Tape & Reel (TR) |
| 场效应管类型: | N and P-Channel |
| 场效应管特性: | Standard |
| 漏源电压 (Vdss): | 8V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | 1.3A |
| Rds On（最大）@Id、Vgs: | 175 mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Vgs(th)（最大值）@Id: | 1V @ 250µA |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs: | - |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds: | - |
| 功率 - 最大: | 400mW |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包装/箱: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 供应商设备包: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
元件型号
品牌
生产日期
数量
单价 (USD)
数量
NTJD1155LT1G on 23+ 0
on
23+
92000
USD 0
NTJD1155LT1G on 21+ 0
on
21+
679
USD 0
NTJD1155LT1G on 22 0
on
22
1000
USD 0
NTJD1155LT1G ONSEMI/安森美 22+ 0
ONSEMI/安森美
22+
63000
USD 0
NTJD1155LT1G ON 23+ 0
ON
23+
60000
USD 0
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