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什么是 MUN2211JT1G?

元件型号: MUN2211JT1G
产品名称: MUN2211JT1G Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
商户特定标识符: MUN2211JT1G
类别: Discrete Semiconductor Products > Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
品牌: ON Semiconductor
描述: TRANS PREBIAS NPN 2.7W SC59
系列: -
包装: Tape & Reel (TR)
晶体管类型: NPN - Pre-Biased
集电极电流 (Ic)(最大): 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧姆): 10k
电阻器 - 发射极基极 (R2)(欧姆): 10k
直流电流增益 (hFE)(最小值)@ Ic、Vce: 35 @ 5mA, 10V
Vce 饱和度(最大值)@Ib、Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大): 500nA
频率-转变: -
功率 - 最大: 230mW
安装类型: Surface Mount
包装/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备包: SC-59
根据 7 条客户评论评分 4/5
Discrete Semiconductor Products - Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased

MUN2211JT1G

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MUN2211JT1G

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生产日期

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MUN2211JT1G ON SEMI

 

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MUN2211JT1G ON

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MUN2211JT1G ON/

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16915
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MUN2211JT1G ONSEMI

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2430
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