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什么是 HN3C51FGR?

元件型号: HN3C51FGR
产品名称: HN3C51FGR Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
商户特定标识符: HN3C51FGR
类别: Discrete Semiconductor Products > Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
描述: TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
系列: -
包装:
晶体管类型: 2 NPN (Dual)
集电极电流 (Ic)(最大): 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 120V
Vce 饱和度(最大值)@Ib、Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大): 100nA (ICBO)
直流电流增益 (hFE)(最小值)@ Ic、Vce: 200 @ 2mA, 6V
功率 - 最大: 300mW
频率-转变: 100MHz
工作温度: 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
包装/箱: SC-74, SOT-457
供应商设备包: SM6
根据 7 条客户评论评分 4/5
Discrete Semiconductor Products - Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays

HN3C51FGR

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HN3C51FGR

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HN3C51F-GR TOSHIBA

TOSHIBA 

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