| 元件型号: | FQD2N80TM |
| 产品名称: | FQD2N80TM Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 商户特定标识符: | FQD2N80TM |
| 类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 品牌: | Fairchild/ON Semiconductor |
| 描述: | MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK |
| 系列: | QFET |
| 包装: | Tape & Reel (TR) |
| 场效应管类型: | N-Channel |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (Vdss): | 800V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | 1.8A (Tc) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）: | 10V |
| Vgs(th)（最大值）@Id: | 5V @ 250µA |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs: | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds: | 550pF @ 25V |
| Vgs（最大）: | ±30V |
| 场效应管特性: | - |
| 功耗（最大）: | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs: | 6.3 Ohm @ 900mA, 10V |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 供应商设备包: | D-Pak |
| 包装/箱: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
元件型号
品牌
生产日期
数量
单价 (USD)
数量
FQD2N80TM ON(安森美) 22/23+ 0
ON(安森美)
22/23+
27525
USD 0
FQD2N80TM ONSEMI 22+ 0
ONSEMI
22+
2500
USD 0
元件型号
品牌
生产日期
数量
FQD2N80TM ON 21+
ON
21+
8000
USD 0
FQD2N80TM ON 22+
ON
22+
3217
USD 0
FQD2N80TM
180
USD 0
FQD2N80TM ON 21+
ON
21+
8000
USD 0
FQD2N80TM ON 22+
ON
22+
3217
USD 0
FQD2N80TM
180
USD 0
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