| 元件型号: | BSS123LT1G |
| 产品名称: | BSS123LT1G Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 商户特定标识符: | BSS123LT1G |
| 类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 品牌: | ON Semiconductor |
| 描述: | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 |
| 系列: | - |
| 包装: | Cut Tape (CT) |
| 场效应管类型: | N-Channel |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (Vdss): | 100V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | 170mA (Ta) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）: | 10V |
| Vgs(th)（最大值）@Id: | 2.8V @ 1mA |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs: | - |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds: | 20pF @ 25V |
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 场效应管特性: | - |
| 功耗（最大）: | 225mW (Ta) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs: | 6 Ohm @ 100mA, 10V |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 供应商设备包: | SOT-23-3 (TO-236) |
| 包装/箱: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
元件型号
品牌
生产日期
数量
单价 (USD)
数量
BSS123LT1G ON 23+ 0
ON
23+
200000
USD 0
BSS123LT1G JRC(日本无线电) 22+ 0
JRC(日本无线电)
22+
2900
USD 0
BSS123LT1G ONSEMI 0
ONSEMI
18000
USD 0
BSS123LT1G ON/安森美 23+ 0
ON/安森美
23+
30500
USD 0
BSS123LT1G ON 24+ 0
ON
24+
120000
USD 0
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