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什么是 APT50GN60BDQ2G?

元件型号: APT50GN60BDQ2G
产品名称: APT50GN60BDQ2G Transistors - IGBTs - Single
商户特定标识符: APT50GN60BDQ2G
类别: Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Single
品牌: Microsemi Corporation
描述: IGBT 600V 107A 366W TO247
系列: -
包装: Tube
IGBT类型: Trench Field Stop
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 600V
集电极电流 (Ic)(最大): 107A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 150A
Vce(on)(最大值)@Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 50A
功率 - 最大: 366W
开关能量: 1185µJ (on), 1565µJ (off)
输入类型: Standard
栅极电荷: 325nC
Td(开/关)@ 25°C: 20ns/230ns
测试条件: 400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr): -
工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型: Through Hole
包装/箱: TO-247-3
供应商设备包: TO-247 [B]
根据 9 条客户评论评分 4/5
Discrete Semiconductor Products - Transistors - IGBTs - Single

APT50GN60BDQ2G

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APT50GN60BDQ2G

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APT50GN60BDQ2G MICROSEMI/

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